IBM（IBM.N）近日宣布开发出全球首个可制造1纳米以下芯片的出纳技术，预计在未来五年内可实现量产。米芯
此次技术的片技推出与人工智能对算力的需求激增，以及电力成本对数据中心的术计算性升能升影响密切相关。IBM的效提股价在消息发布后盘前上涨逾6%，但今年其股价依旧下跌约11%。出纳
新发布的米芯芯片采用0.7纳米晶体管技术，亦称7埃，片技是术计算性升能升突破1纳米门槛的首个制造方案。目前，效提台积电已开始量产约2纳米的出纳芯片，而英特尔则在上周表示其1.8纳米的米芯18A工艺已进入风险试产阶段。
根据IBM的片技说法，新的术计算性升能升工艺能够在指甲大小的芯片上集成近1000亿个晶体管，晶体管密度是效提2021年发布的2纳米技术的两倍，同时可带来高达50%的计算性能提升以及70%的能效提升。
这一进展得益于IBM开发的新型“纳米堆叠”晶体管架构。与传统平面排布不同，这种三维垂直堆叠设计在同一面积内容纳更多的晶体管，从而提高了芯片的集成度。IBM Research的负责人杰伊·甘贝塔（Jay Gambetta）表示：
“借助Nanostack架构，我们不仅实现了更小的晶体管，还重新定义了芯片的构造，这大幅提升了计算性能和能源效率。”
随着AI数据中心的建设增多，供电成为行业重要的制约因素，高功耗芯片导致一些项目因电力成本过高而推迟。IBM指出，新技术能够帮助缓解这一问题。
虽然IBM已不再直接制造和销售芯片，但其位于纽约州奥尔巴尼的实验室仍在研发半导体工艺，并与制造商合作进行技术授权。此前，三星电子和日本Rapidus曾获得IBM的相关技术授权。
IBM表示，这项技术有望使芯片微缩的趋势再延续10年。长久以来，行业依靠提升晶体管密度来提高性能，这一规律被称为“摩尔定律”。
近年来，制造成本的上升使得进一步缩小晶体管带来的成本利益显著降低，部分业内人士如英伟达（NVDA.O）首席执行官黄仁勋曾表示“摩尔定律已死”。然而，IBM认为目前下结论为时尚早。
Nanostack是三维晶体管技术最新的进展。台积电和英特尔之前已使用了IBM最早研发的纳米片晶体管结构，而IBM此次进一步通过倒置贴合的方式来提升晶体管的集成度。
行业分析人士普遍认同该技术的重要性，但也面临其他技术路线的竞争。TechInsights的分析师丹·哈奇森（Dan Hutcheson）表示：“这是一个重大的突破，芯片的未来路线图因此延长了10到15年。”
他补充道，比利时Imec研究所的另一种逐层堆叠方案同样受到关注，但可能更容易出现制造缺陷。而IBM的方法则能提供更强、更快、功耗更低的晶体管，具有革命性突破的潜力。
Moor Insights & Strategy的分析师帕特里克·穆尔黑德（Patrick Moorhead）认为，仍需观察哪些厂商最终会采用IBM的技术，以及谁将率先实现商业化，但此次发布至少表明了关于“摩尔定律已死”的论断被夸大了。
穆尔黑德表示：“这表明，我们不必像以往那样担忧技术发展动力的迅速消失。”
